在电子电路中，MOS管和IGBT管会常常呈现，它们都可以作爲开关元件来运用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比拟类似，那为何有些电路用MOS管？而有些电路用IGBT管？

下面我们就来理解一下，MOS管和IGBT管究竟有什麼区别吧！

什麼是MOS管？

场效应管次要有两品种型，辨别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。

MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。

MOSFET又可分爲N沟耗尽型和加强型；P沟耗尽型和加强型四大类。

▲ MOSFET品种与电路符号 有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或许叫寄生二极管、续流二极管。

关于寄生二极管的作用，有两种解释：

1、MOSFET的寄生二极管，作用是避免VDD过压的状况下，烧坏MOS管，由于在过压对MOS管形成毁坏之前，二极管先反向击穿，将大电流间接到地，从而防止MOS管被烧坏。

2、避免MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，爲反向感生电压提供通路，防止反向感生电压击穿MOS管。

MOSFET具有输出阻抗高、开关速度快、热波动性好、电压控制电流等特性，在电路中，可以用作缩小器、电子开关等用处。

什麼是IGBT？

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。

IGBT作爲新型电子半导体器件，具有输出阻抗高，电压控制功耗低，控制电路复杂，耐高压，接受电流大等特性，在各种电子电路中取得极普遍的使用。

IGBT的电路符号至今并未一致，画原理图时普通是借用三极管、MOS管的符号，这时可以从原理图上标注的型号来判别是IGBT还是MOS管。 同时还要留意IGBT有没有体二极管，图上没有标出并不表示一定没有，除非官方材料有特别阐明，否则这个二极管都是存在的。 IGBT外部的体二极管并非寄生的，而是爲了维护IGBT软弱的反向耐压而特别设置的，又称爲FWD（续流二极管）。

判别IGBT外部能否有体二极管也并不困难，可以用万用表测量IGBT的C极和E极，假如IGBT是好的，C、E两极测得电阻值无量大，则阐明IGBT没有体二极管。

IGBT十分合适使用于如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等范畴。 MOS管和IGBT的构造特点 MOS管和IGBT管的外部构造如下图所示。

IGBT是经过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。

IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实践就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺陷，但IGBT克制了这一缺陷，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。 另外，类似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度能够会慢于MOSFET，由于IGBT存在关断拖尾工夫，由于IGBT关断拖尾工夫长，死区工夫也要加长，从而会影响开关频率。

选择MOS管还是IGBT？

在电路中，选用MOS管作爲功率开关管还是选择IGBT管，这是工程师常遇到的成绩，假如从零碎的电压、电流、切换功率等要素作爲思索，可以总结出以下几点：

也可从下图看出两者运用的条件，暗影局部区域表示MOSFET和IGBT都可以选用，“？”表示以后工艺还无法到达的程度。

总的来说，MOSFET优点是高频特性好，再者工作频率可以到达几百kHz、上MHz，缺陷是导通电阻大在高压大电流场所功耗较大；而IGBT在低频及较大功率场所下表现杰出，其导通电阻小，耐压高。

MOSFET使用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通讯电源等等高频电源范畴；IGBT集中使用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等范畴。