MOS管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

在当今的开关电源设备中,当电源电压在200v以下时,主开关功率器件一般都使用mos管。所以深入了解MOS管的内部结构和工作特性对开关电源工程师来说至关重要，下面就对MOS管的特性做一个简要的分析。

　　一、MOS管的电压特性，在MOS管栅源之间的施加电压在多数情况下不能超过20V,在实际应用中功率MOS管的栅极电压一般被控制在10V左右。

　　二、MOS管的栅源输入电压必须被严格的拧制在输入电压值之内,即使输入栅极的电压低于电压值也不是最保险的,因为连接华晶MOS管的导线中存有寄生电感效应,当导线中的寄生电感与栅极电容相耦合后会在MOS管的栅极输入端产生振荡电压,振荡电压会破坏MOS管的氧化层。

　　三、MOS管导通和截止的瞬间,漏极的高电压会通过MOS管内部的漏源电容偶合到功率MOS管的栅极处,使MOS管受损。

　　四、为了防止漏极耦合过来的瞬态高压对MOS管栅极的冲击,通常采用在MOS管栅源之间接一个齐纳二极管来保护MOS管的栅极,但是同时因为齐纳二极管的输出阻抗较高容易产生自振荡。正如我们前而所提到的这种自振荡对MOS管是有害的。如果必须在MOS管栅极前加齐纳二极管,那么可以在MOS管的栅极和齐纳极管之间插入一个

5~10欧的小电阻或在栅源之间接一个小电容(电容值要小于MOS管输入电容的1/50)来消除自振荡。

　　通过上述对MOS管电压特性的介绍，相信大家明白了MOS管的电压特性，方便大家在熟悉其特性以后在更合理的选择和使用MOS管。

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