液晶电视产品MOSFET解决方案

液晶电视产品想要更新迭代，选择MOS管该怎么选？在高压器件中，绝大部分电压由少掺杂的Epi层来承受：厚的少掺杂的Epi层承受更高的击穿耐压，但是增加了导通电阻。在低压器件中，P-体掺杂程度和N- Epi层差不多，也可以承受电压。如果P-体的厚度不够，重掺杂太多，耗尽区可以通孔达到N+ 源极区，从而降低了击穿电压值。如果P-体的厚度太大，重掺杂不够，沟道的电阻和阈值电压将增大。因此需要仔细的设计体和Epi掺杂和厚度以优化其性能。，在你选择想要的MOS管之前，你将你的基本要求告诉我，飞捷士就会根据你的要求给你推荐合适你产品的MOS产品。

比如说你自己做的是液晶电视产品，需要电压30V、电流80A、TO-220封装的MOS管产品，我们就会根据你的这个基本要求给您推荐CRTT030N03L的MOS管产品。当然这只是出不推荐，会从更细致的参数筛选更适合液晶电视产品的MOS管。

可以发现，功率MOSFET的电压驱动、全控式和单极型特性决定了其在功率器件中的独特定位：工作频率相对最快、开关损耗相对最小，但导通与关断功耗相对较高、电压与功率承载能力相对较弱。,以平面增强型N沟道MOSFET为例，基本结构如下图所示。可以看到，从左到右为NPN的掺杂，在扩散作用下，会自然形成像图中所示的深红色的耗尽区(depletion region)，根据前面所述，耗尽区是不能导电的，因此漏极(Drain)到源极(Source)在未加外加电场的时是断开的，因此该结构是Normal off的结构。

液晶电视产品低压MOS选型推荐