IGBT的关键I-V特性：

IGBT你既能够把它作为一个MOSFET与PiN二极管串连，还可以作为是一个宽基区的PNP被MOSFET驱动器(Darlington构造)， 前面一种能够用于了解它的特性，后面一种才算是他的基本原理。它看上去便是一个MOSFET的I-V曲线图往后面挪了一段(>0.7V)，由于沟道打开造成电流量务必考虑漂移区电流量与漂移区电阻器相乘超出0.7V，才可以促使P 衬底与N-drift的PN结正指导通，那样才能够work，不然沟道打开也不可以work的。

最终给大伙儿吹说大话吧，大伙儿常常会听见第一代IGBT一直到第六代IGBT，这种代表什么意思呢？

1) 第一代：他便是IGBT的原型，非常简单的基本原理框架图那类，因此 他务必要提升 N-drift来提升 抗压，因此 通断电阻器和关闭功能损耗都较为高，因此 沒有普及化应用。

2) 第二代：PT-IGBT，因为耗尽层不可以透过N 缓存层，因此 基区静电场提升呈梯状遍布，因此 能够减少集成ic薄厚进而减少功能损耗。这主要是西门子公司1990~1995年的产品BSM150GB120DN1("DN1"便是第一代的含意)。它关键在600V上面有优点(相近GTR特性)，到1200V的情况下碰到外延性薄厚大成本增加、且可信性低的难题(夹杂浓度值及其薄厚的匀称能力差)。

3)第三代：NPT-IGBT，已不选用外延性技术，只是选用离子注入的技术来形成P 集电结(全透明集电结技术)，能够精确的操纵结深而操纵发送高效率尽量低，变快载流子提取速率来减少关闭耗损，能够维持基区原来的载流子使用寿命而不容易危害恒定功能损耗，另外具备正温度系数特性，因此 技术较为完善在恒定耗损和关闭耗损间获得了非常好的最合适的，因此 被普遍选用。意味着企业仍然是西门子公司首先选用FZ(区熔法)替代外延性的大批量产品，意味着产品BSM200GB120DN2，VCE>1200V, Vce(sat)=2.1V。

4)第四代：Trench-IGBT，较大 的改善是选用Trench构造，是的沟道从表层跑来到正垂面上，因此 基区的PIN效用提高，栅极周边载流子浓度值扩大，进而提升 了氧化还原电位调配效用减少了导通电阻器，另外因为沟道没有表层，因此 清除了JFET效用，因此 栅极相对密度提升不受到限制，并且在第四代IGBT再次延用了第三代的集电结P implant技术另外添加了第二代的PT技术做为场停止层，合理奇高抗压工作能力等。必须应用双引入技术，难度系数很大。这个时候是英飞凌的时期 了，Infineon的减薄技术世界第一，它的薄厚在1200V的情况下能够减少到120um~140um(NPT-IGBT必须200um)，乃至在600V能够减少到70um。

5)第五代：FS-IGBT和第六代的FS-Trench，第五、第六代产品是在IGBT经历了所述四次技术改善实践活动后对各种各样技术对策的重新排列。第五代IGBT是第四代产品“全透明集电区技术”与“静电场中断技术”的组成。第六代产品是在第五代基本上改善了管沟栅构造，并且以新的外貌出現。

现阶段在我国的整体电力能源利用率为33%上下，比资本主义国家低约10个点。当今在我国环保节能工作中遭遇很大工作压力。

依据“十一五规划”规定，到2010年中国的电力能源应用高效率将在2005年基本上提升 20%。在新能源技术行业，中国已变成太阳能电池板生产制造的第一强国，风能发电的总计年发电量也持续四年完成增涨，这代表着中国新能源技术销售市场蕴含着极大的创业商机。不论是太阳能电池板、风能发电還是新能源车，其系统应用都必须把直流电源变换为交流电流，担负这一每日任务的构件称之为逆变电源。

逆变电源的关键元器件是IGBT(绝缘层栅双极型晶体三极管)，也是价钱最大的构件之一，国外，IGBT技术及产品持续升级换代，而在我国现阶段还不具有批量生产IGBT的工作能力，关键全是厦门南车、北车生产制造的用以高铁动车的IGBT技术，也有华润微电子(想回收Fairchild)，也有华宏宏力好像也是有，如今我国关键帮扶8寸的IGBT技术。