应用描述
随着人们对智能手机的使用需求日益增加，智能手机性能提升的同时也带来了功率损耗大幅提升问题。在电池容量和体积受限情况下，手机充电器的快充技术成为提高电池续航能力的有效解决方案。为了满足人们小巧便携需求，手机快充渐渐趋向较小的外形尺寸和较大的输出功率，而这对制造厂家在解决温升高、热性能差等问题方面提出了新的技术挑战。
为满足当下智能手机和平板电脑等充电器的需求，CRMICRO推出了一系列可靠、高效的高压及低压MOSFET。第六代R系列平面高压MOSFET产品，涵盖200V-1700V电压全系列产品，在满足客户各种选型需求的同时，该系列产品在提高温升效率、改善EMI特性、抗雷击浪涌能力方面有良好的表现。CRMICRO自主研发的高压超结MOS，采用先进的多层外延和注入技术，有国内领先的Rsp和FOM(QG *RDS(on）) 。因其电流密度高、开关速度快、易用性好，为客户的高效率、高可靠性需求提供良好的选择。CRMICRO开发的SGT工艺低压MOS，有优秀的FOM参数，便于客户提高产品功率密度；同时也开发了低VGS(th)产品，满足客户各种应用需求。多种封装形式如DFN8*8、DFN5*6等可满足终端应用小尺寸外形的需求。
产品特色
应用原理图
典型应用拓扑图
适配器产品中可用的华晶型号：
CRJL190N65GC、CRJT190N65GC、CRJF190N65GC、CRJQ190N65GC、CRJS190N65GC、CRJF200N70G2、CRJS200N70G2、CRJD290N65G2、CRJF290N65G2、CRJS290N65G2、CRJH360N70G2、CRJD360N70G2、CRJF360N70G2、CRJS360N70G2、CRJM390N65GC、CRJH390N65GC、CRJD390N65GC、CRT390N65GC、CRJF390N65GC、CRJS390N65GC、CRJD650N65GC、CRJF650N65GC、CRJH650N65G2、CRJD650N65G2、CRJF650N65G2、CRJD750N70G2、CRJF750N70G2、CRJS750N70G2、CRJH800N65G2、CRJD800N65G2、CRJF800N65G2、CRJH850N65GC、CRJD850N65GC、CRJF850N65GC、CRJH900N70G2。